傳三星採用台積電技術 為輝達生產下一代內存晶片

《首爾經濟日報》報道，三星電子將採用台積電的3納米技術，為輝達(Nvidia)下一代定制高帶寬內存(HBM)晶片，製造基底裸片(Base Die)。 為三星首次在HBM製造階段，與台積電展開合作；打破三星的「一站式全包」生產模式。

報道引述業界消息指，輝達要求三星、SK海力士和美光科技，採用台積電的技術，製造基底裸片，核心裸片則統一採用第六代DRAM技術製造，因為各供應商的製造方案差異，會導致性能不穩，標準化後可以大大減輕輝達的驗證工作量。

報道指，三星經過內部評估後，接受了輝達的要求；但三星今次的調整，只限於為輝達生產HBM晶片，其他客戶的產品，則繼續保留三星全包生產策略。

不過，三星並未完全放棄自主生產能力。 業內人士透露，三星正同步驗證，能否在自有生產線製造輝達的HBM基底裸片，作為防範台積電產能不足的應變方案；也顯示於AI晶片競爭白熱化下，三星正以靈活策略平衡技術自主與客戶需求。