三星HBM晶片傳尚未通過輝達測試
24/5/2024 12:44
路透引述消息人士指, 南韓三星電子最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片, 尚未通過輝達(Nvidia)的測試.
消息人士指, 因為存在發熱和功耗問題, 最新的記憶體晶片無法用於輝達的人工智能(AI)處理器, 影響三星HBM3晶片, 以及今年三星和其競爭對手推向市場的第五代HBM3E晶片, 目前未清楚問題是否容易解決.
消息人士又指, 三星未能達到輝達的要求, 增加業界和投資者的擔憂, 在HBM方面亦可能會進一步落後於競爭對手SK海力士和美光科技(Micron).
三星在聲明就表示, HBM是一種客製化的內存產品, 需要根據客戶的需求進行優化, 公司正通過與客戶的密切合作優化產品.
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